第二届"闪存数据库系统国际研讨会FlashDB2012"在韩国釜山举行

第二届闪存数据库系统国际研讨会(The International Workshop on Flash-based Database System)于2012年4月15日在韩国釜山成功举行。本次会议由中国人民大学信息学院孟小峰教授、中国科技大学岳丽华教授发起并组织,香港浸会大学徐建良教授、新加坡南洋理工大学He Bingshen博士担任程序委员会主席,来自本领域的数十位专家学者参与了研讨会。

会议邀请了INLINX公司半导体部门总裁Bumsoo Kim做了题为"商业SSD现状和未来"的特邀报告,介绍了OCZ公司、PCIe接口以及一些OCZ SSD的技术实现和性能,并对SSD的未来和挑战做了展望。

研讨会上来自中国人民大学、中国科学技术大学、德国凯泽斯劳滕大学、法国国家信息与自动化研究所以及波兰弗罗茨瓦夫技术大学的学者报告了自己最新的研究成果。主要包括基于闪存的缓冲区管理;闪存系统内部实现技术;基于闪存的高维索引性能;以及闪存上聚合R-tree和基于闪存的列存储模型等。

本次研讨会使大家对闪存已有的最新技术和未来的发展有了新的认识。

背景资料:

闪存(Flash Memory)诞生于20世纪80年代末,它是一种高速、低功耗、抗震、小巧轻便的存储介质。随着闪存容量的不断增长,越来越多的电子设备直接用其来存储大量的数据,由此带来的新问题是"如何有效地组织、存储、管理和使用闪存中的数据"。为了解决闪存数据日益严峻的管理问题,以孟小峰教授为课题负责人的项目"闪存数据库技术研究"于2008年9月获得了国家自然科学基金重点项目的资助(项目号:60833005),展开了对闪存数据库系统的系统研究,取得了重要进展,先后举办多次闪存数据库系统的研讨会。